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Dell PowerEdge R660xs 10-Bay 2.5" Drives [16th Gen: New]
Código: BP-016998
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El Dell PowerEdge R660xs 10-Bay 2.5" es la configuración de máxima densidad de formato pequeño (SFF) de la plataforma 1U de doble socket de optimización de costos de 16.ª generación de Dell. Diez bahías de intercambio en caliente de 2.5" se ubican en un backplane universal, combinadas con procesadores Intel Xeon Scalable de 4.ª generación (Sapphire Rapids) o de 5.ª generación (Emerald Rapids), memoria DDR5 y NVMe Gen5 de conexión directa.
La línea xs es la versión de optimización de costos del R660 de Dell. Mantiene el mismo socket Sapphire y Emerald Rapids y las mismas opciones de chasis, pero recorta las partes del R660 completo que impulsan el costo: 16 ranuras DIMM DDR5 en lugar de 32, un techo de TDP de CPU más bajo, sin soporte para GPU y sin refrigeración líquida directa. La configuración 10-Bay es la adecuada cuando se busca esa plataforma de costo reducido y también se necesita una cantidad de unidades compatible con vSAN ESA, almacenamiento de bases de datos con alta densidad NVMe o alta capacidad de caché local por nodo. Para cargas orientadas al cómputo que caben en ocho bahías, el R660xs 8-Bay es el punto de partida más económico; para unidades de capacidad de 3.5", el chasis adecuado es el R660xs 4-Bay LFF.
Dónde encaja el R660xs 10-Bay dentro de la familia
El R660xs se ofrece en tres diseños de chasis, todos sobre la misma placa base y plataforma: el R660xs 8-Bay 2.5" orientado al cómputo, esta configuración 10-Bay de máxima densidad SFF y el R660xs 4-Bay 3.5" LFF orientado a capacidad. La plataforma subyacente es idéntica en los tres; la elección depende únicamente de cómo se distribuye el almacenamiento.
La 10-Bay es el diseño SFF más denso que ofrece la plataforma xs. Las dos bahías adicionales frente a la 8-Bay son lo más relevante en nodos vSAN ESA, bases de datos respaldadas por NVMe y diseños HCI, donde llevar más capacidad local por nodo reduce el número total de nodos. Si necesita más densidad de unidades que diez bahías de 2.5", ya se ha pasado de lo que ofrece la plataforma xs y se ha llegado al R660 10-Bay completo, que agrega la opción EDSFF E3.S, 32 ranuras DIMM, soporte para GPU y refrigeración líquida directa.
Almacenamiento: 10 bahías SFF en un backplane universal
Diez bahías de intercambio en caliente de 2.5" en el frente, sobre un backplane universal que acepta cualquier combinación de SAS4, SATA y NVMe Gen5 en el mismo chasis. Se dispone opcionalmente de una jaula trasera de 2x 2.5" mediante el kit de riser trasero, que ocupa una ranura PCIe; conviene planificar la distribución de expansión antes de especificarla, porque en una 10-Bay muchas veces también se quiere esa posición de riser para una NIC o tarjeta de almacenamiento Gen5.
Es la configuración SFF de mayor densidad del R660xs. Para mayor densidad por nodo se pasa al R660 completo, que agrega la opción EDSFF E3.S de 14 o 16 unidades que ningún chasis xs incluye.
- NVMe Gen5 (conexión directa): hasta unos 14 GB/s por unidad, la capacidad que define a este chasis. Diez unidades NVMe Gen5 representan un ancho de banda agregado considerable incluso en la placa más sencilla de la línea xs.
- SSD SAS4 y SATA: gestionados por la PERC H965i para RAID por hardware o por la HBA355i para acceso directo (pass-through), ambas descritas en Controladoras de almacenamiento más abajo.
- Configuraciones mixtas: el backplane universal maneja SAS, SATA y NVMe en cualquier combinación sin cambiar el backplane. Una configuración habitual de 10 bahías son dos SSD SAS o SATA para el sistema operativo y los logs, más ocho unidades NVMe para datos.
- Arranque: BOSS-N1 con dos SSD M.2 NVMe en espejo sobre una tarjeta dedicada. En el chasis xs la BOSS-N1 es de intercambio en frío; la bandeja trasera BOSS de intercambio en caliente es una característica del R660 completo. El arranque queda fuera de las bahías frontales, dejando las diez para datos.
Cuándo conviene diez bahías frente a ocho en esta plataforma: nodos vSAN ESA de un solo clúster que apuntan a seis u ocho unidades de nivel de capacidad más dos unidades de nivel de caché, bases de datos NVMe cuyo conjunto de trabajo abarca de seis a diez unidades, y nodos HCI que llevan más capacidad local para reducir el número total de nodos. Para cargas orientadas al cómputo en las que ocho bahías cubren un espejo de arranque más datos, la 8-Bay es más económica y, por lo demás, idéntica.
Controladoras de almacenamiento
El R660xs utiliza las familias de controladoras PERC 12 y PERC 11 de Dell, además de RAID por software y HBA de acceso directo. Elija la controladora según la carga de trabajo, no según la lista de precios:
- PERC H965i (PERC 12): la opción predeterminada actual de RAID por hardware, con caché integrada y respaldo por batería, para cargas intensivas en escritura o transaccionales donde el RAID con paridad local es importante. Es la controladora a cotizar cuando se necesita RAID 5 o 6.
- PERC H755 y H755N (PERC 11): la opción de RAID por hardware de la generación anterior; la H755N es la variante específica para NVMe. Una opción sólida para cargas mixtas o de lectura intensiva, y común en equipos que se fabricaron antes en la vida de la plataforma.
- PERC H355 (PERC 11): RAID por hardware de entrada con una restricción importante: la H355 solo realiza RAID 0, 1 y 10. No realiza RAID 5 ni 6. Si necesita RAID con paridad, especifique la H965i o la H755, no la H355.
- HBA355i (acceso directo): para pilas de almacenamiento definidas por software. vSAN ESA requiere acceso directo a las unidades, por lo que los nodos ESA usan la HBA355i, nunca una controladora RAID PERC.
- S160 (RAID por software): RAID por software del chipset solo para desarrollo, pruebas y cargas livianas. No es una recomendación para producción.
Procesadores
Dos sockets, Socket E (LGA 4677), sobre el chipset C741 de Intel. El R660xs acepta tanto los Intel Xeon Scalable de 4.ª generación (Sapphire Rapids, 2023) como los de 5.ª generación (Emerald Rapids, 2024) en el mismo socket, de modo que la generación se elige según la carga de trabajo y el presupuesto, no según el chasis.
La diferencia de la línea xs es el techo de TDP de la CPU. Mientras que el R660 completo admite procesadores de hasta 350 W, la placa xs de optimización de costos está diseñada para una envolvente térmica menor, aproximadamente un techo de la clase de 225 W, que debe confirmarse según el modelo específico de CPU al momento de cotizar. En la práctica cubre la gran mayoría de la línea Sapphire y Emerald Rapids, incluidos los modelos Silver y Gold de gama media que más despliegan los compradores de equipos usados y reacondicionados. Los modelos de gama alta de 56 y 64 núcleos de 350 W son el punto en que conviene pasar al R660 completo.
Ambas generaciones incorporan aceleración en el propio die que las generaciones previas de Dell no tenían: AMX para inferencia de IA y QuickAssist para descarga de cifrado y compresión. En un nodo de almacenamiento denso, la cuestión práctica sobre la CPU es la cantidad de núcleos para la pila de almacenamiento o HCI más que las frecuencias máximas, y un modelo Silver de gama media o un Gold de gama baja suele combinarse bien con una construcción 10-Bay con NVMe.
Memoria
Dieciséis ranuras RDIMM DDR5, ocho por CPU, distribuidas en ocho canales de memoria con un DIMM por canal. Esta es la principal concesión de la línea xs frente a las 32 ranuras del R660 completo: el R660xs renuncia a la mitad de la capacidad DIMM para reducir el costo. Solo se admite DDR5 ECC registrada, sin nivel LRDIMM y sin opción de memoria persistente en la 16.ª generación de Dell.
- Velocidad: DDR5-4800 en Sapphire Rapids de 4.ª generación; hasta DDR5-5600 en Emerald Rapids de 5.ª generación. Como el xs funciona con un DIMM por canal, evita la reducción de velocidad de 2 DPC que sufren las placas del R660 completo totalmente pobladas.
- Capacidad: hasta 1,5 TB en las dieciséis ranuras; confirme el nivel exacto de RDIMM por modelo al momento de cotizar, ya que el techo depende del módulo más grande homologado.
- Población: pueble en conjuntos equilibrados en ambas CPU para mantener los ocho canales activos por socket. Un llenado desbalanceado reduce silenciosamente el ancho de banda de memoria, un error frecuente en configuraciones de doble socket.
Para la mayoría de las cargas de trabajo de almacenamiento y HCI de 10 bahías, la cuestión es el ancho de banda y la población equilibrada, no el techo máximo. Si realmente necesita más de 1,5 TB por nodo, esa es una de las pocas razones de peso para salir de la plataforma xs y pasar al R660 completo.
Redes y expansión PCIe
La conectividad de red se realiza con OCP NIC 3.0, el estándar de la 16.ª generación. La placa incorpora un LOM de doble 1 GbE para gestión y conectividad básica, y la ranura OCP 3.0 admite adaptadores de 10, 25 o 100 GbE sin consumir una ranura PCIe. No hay aquí una Network Daughter Card de rack; OCP 3.0 reemplazó el mezzanine rNDC en los PowerEdge de 15.ª y 16.ª generación.
- Ranura OCP 3.0: una ranura para la NIC de datos principal a 10, 25 o 100 GbE, con intercambio en caliente en esta generación.
- Ranuras PCIe: la distribución de risers del xs ofrece dos ranuras Gen5 o tres Gen4 según el riser elegido, además de la ranura PERC dedicada y la posición OCP. La jaula trasera opcional ocupa una de estas posiciones de riser.
- Compromiso de generación: Gen5 duplica el ancho de banda por carril frente a Gen4 y es relevante para NVMe Gen5 y adaptadores de clase 100 GbE; los risers Gen4 ofrecen más ranuras. Elija el riser según si la limitación es el ancho de banda o la cantidad de ranuras.
Soporte para GPU
El R660xs no es una plataforma para GPU. La placa xs de optimización de costos no cuenta con la distribución de energía, el margen térmico ni el presupuesto de riser x16 necesarios para un acelerador relevante, y Dell no homologa GPU en ella. Es una decisión de diseño: el soporte para GPU es una de las características que la línea xs eliminó para reducir costos.
Si necesita aceleración en el nodo, el R660 10-Bay completo admite hasta tres GPU de ancho simple en 1U, y la familia R760 de 2U admite tarjetas de doble ancho. Para inferencia o entrenamiento intensivo, una plataforma de 2U es la respuesta adecuada en lugar de cualquier chasis xs de 1U.
Gestión: generación de iDRAC9
El R660xs utiliza iDRAC9 con el conjunto completo de seguridad ciberresiliente de la 16.ª generación. Cabe destacar que el hardware de 16.ª generación incluye iDRAC9, no iDRAC10: iDRAC10 es el controlador de la 17.ª generación. El conjunto de funciones de gestión es el mismo iDRAC9 que se usa en el R660, el R760 y las variantes xs.
- iDRAC9 Enterprise o Datacenter: gestión fuera de banda completa, consola virtual y automatización del ciclo de vida. Enterprise es la base recomendada para producción.
- Lifecycle Controller: actualizaciones de firmware sin agente, despliegue bare-metal y persistencia de configuración.
- Seguridad: Silicon Root of Trust, firmware firmado, Secure Boot, System Lockdown y autenticación multifactor, además de una opción TPM 2.0 para contextos NIST, CMMC, FedRAMP, HIPAA y PCI DSS.
Energía y refrigeración
El R660xs utiliza fuentes de alimentación redundantes de intercambio en caliente Platinum y Titanium, y comparte la línea de PSU de las generaciones 15.ª y 16.ª, incluida la opción económica de 600 W exclusiva del nivel xs. Las configuraciones 10-Bay con NVMe consumen más que las configuraciones orientadas al cómputo de 8 bahías, así que dimensione la PSU según la cantidad de unidades instaladas, no según el chasis vacío.
| Configuración | Recomendación de PSU | Consumo máximo estimado |
|---|---|---|
| Ligera: CPU Silver de gama baja, RAM parcial, SSD SAS o SATA | 2x 700W Titanium | ~330W |
| Equilibrada: CPU Silver media o Gold, RAM completa, de seis a diez NVMe | 2x 1100W Titanium | ~620W |
| Pesada: CPU Gold alta de la línea xs, 1,5 TB de RAM, diez NVMe más bahías traseras | 2x 1400W Platinum | ~900W |
La PSU de 600 W es compatible pero rara vez es la adecuada en una 10-Bay: una configuración NVMe Gen5 totalmente poblada superará esa envolvente bajo carga máxima. Considere 1100W Titanium como el mínimo práctico para un nodo 10-Bay NVMe totalmente poblado. La refrigeración son ventiladores redundantes de intercambio en caliente de serie; no hay opción de refrigeración líquida directa en la plataforma xs.
Especificaciones físicas y notas de plataforma
- Factor de forma: rack 1U, profundidad estándar, modelo regulatorio E87S. Confirme la profundidad exacta del rack en la especificación del chasis al planificar racks de profundidad reducida o espacio para la gestión de cables.
- Expansión PCIe: dos ranuras de riser Gen5 o tres Gen4, más la ranura PERC dedicada y la posición OCP 3.0; la jaula trasera opcional sacrifica una ranura de riser.
- Disponibilidad de repuestos: excelente. Es una plataforma de generación actual con soporte completo Dell ProSupport, así que las unidades, PSU, risers, ventiladores y tarjetas BOSS-N1 se consiguen fácilmente, nuevos y en el mercado secundario.
- Accesorios recomendados: el kit de rieles deslizantes ReadyRails con brazo opcional de gestión de cables, la tarjeta de arranque BOSS-N1 para mantener el sistema operativo fuera de las bahías frontales y un bisel frontal para polvo y seguridad física. Los cotizamos como parte de la configuración en lugar de indicar aquí números de parte, ya que los P/N exactos dependen del chasis y de la profundidad de rieles elegida.
- Notas de plataforma: backplane universal (SAS4, SATA y NVMe en cualquier combinación), BOSS-N1 de intercambio en frío en el chasis xs, sin GPU ni refrigeración líquida directa en la placa xs y un techo de TDP de CPU inferior al del R660 completo. Ninguna de estas es específica de la 10-Bay; son rasgos a nivel de placa base de todos los R660xs.
Nuestra evaluación
Dónde destaca: el R660xs 10-Bay es la elección adecuada cuando se quieren las ventajas de costo de la plataforma xs, la opción de PSU de 600 W, sin recargo por GPU ni Smart Flow y una ranura PERC dedicada, pero también se necesita una cantidad de unidades compatible con vSAN ESA o almacenamiento de bases de datos NVMe denso por nodo. Los nodos vSAN ESA de un solo clúster, las bases de datos respaldadas por NVMe con una huella de seis a diez unidades, los nodos HCI densos y los niveles de caché para CDN de borde o inferencia son su punto fuerte. Es almacenamiento SFF denso con economía de nivel express.
Dónde mirar en cambio: las cargas que necesitan relajar alguna restricción xs, como memoria por encima de 1,5 TB, CPU por encima del techo de TDP xs, soporte para GPU, arranque de intercambio en caliente o densidad EDSFF E3.S, pertenecen al R660 10-Bay completo. El trabajo orientado al cómputo donde el almacenamiento es modesto pertenece al R660xs 8-Bay, más económico. Si el objetivo son unidades de capacidad de 3.5", el chasis indicado es el R660xs 4-Bay LFF.
En resumen: este es el nodo SFF denso de la línea 1U de optimización de costos de 16.ª generación. HBA355i para vSAN ESA, H965i para RAID con paridad por hardware, BOSS-N1 para el arranque y 1100W Titanium o más una vez que se llenen las bahías NVMe. Conserva la misma base de iDRAC9 y Silicon Root of Trust del R660 completo a un costo de plataforma menor. El comprador típico construye nodos HCI o de clúster de almacenamiento denso en cantidades de flota y no necesita el margen de memoria, GPU o refrigeración líquida del R660 completo.
Dónde encaja el R660xs 10-Bay en 2026
El R660xs es hardware de generación actual a 2026, con soporte completo de Dell, así que aquí no hay advertencias de fin de vida que gestionar. La cuestión de posicionamiento se plantea hacia arriba y hacia abajo en las generaciones, más que como una advertencia sobre el estado del soporte.
Frente a la generación anterior, la R650xs 10-Bay de 15.ª generación es el escalón de menor precio: Ice Lake, DDR4, PCIe Gen4 y arranque BOSS-S1 basado en SATA, normalmente muy por debajo del R660xs en el mercado secundario. Elija la R650xs cuando no necesite el ancho de banda de NVMe Gen5, DDR5 ni arranque NVMe. La R660xs 10-Bay justifica su premio en NVMe Gen5, DDR5, la base de seguridad de la 16.ª generación y el arranque NVMe BOSS-N1.
Por encima, los R670 y R770 de 17.ª generación (Granite Rapids) aportan PCIe Gen5 refinado, DDR5 más rápida, iDRAC10 y aceleración de IA en el propio die. No hay una variante xs de optimización de costos de 17.ª generación anunciada por ahora, así que para un nodo SFF denso de generación actual con economía xs, la R660xs 10-Bay sigue siendo la respuesta.
Limitaciones honestas
- Aplican los techos de la plataforma xs. Dieciséis ranuras DIMM y un techo de memoria de 1,5 TB, un techo de TDP de CPU por debajo del R660 completo, sin GPU, sin refrigeración líquida directa y arranque de intercambio en frío en lugar de caliente. Son restricciones a nivel de placa base de todos los R660xs, no algo que el chasis 10-Bay agregue o quite.
- Diez bahías es el límite de esta plataforma. El chasis xs no se expande más allá de diez bahías de 2.5". Mayor densidad de NVMe local por nodo implica el chasis EDSFF E3.S del R660 completo, que es una plataforma distinta.
- Las bahías traseras cuestan una ranura PCIe. La jaula trasera opcional de 2x 2.5" ocupa una posición de riser. En una 10-Bay también puede querer esa ranura para una NIC o tarjeta de almacenamiento Gen5, así que planifique la distribución PCIe antes de agregar bahías traseras.
- El consumo de NVMe es real. Diez unidades NVMe Gen5 pueden consumir entre 70 y 100 W por sí solas, antes de CPU y memoria. No subdimensione la PSU; la opción de 600 W que sirve para la 8-Bay generalmente es insuficiente aquí.
- vSAN ESA requiere la HBA355i. No especifique una controladora RAID PERC para ESA; la arquitectura requiere acceso directo a las unidades. Esto sorprende a compradores que por costumbre eligen una PERC.
Adecuación según carga de trabajo
| Adecuado para | Considere alternativas para |
|---|---|
| Nodos vSAN ESA con economía de clúster de costo reducido | Memoria por encima de 1,5 TB requerida, R660 10-Bay completo |
| Bases de datos NVMe con una huella de seis a diez unidades | CPU por encima del techo de TDP xs, R660 completo |
| Nodos HCI con almacenamiento local denso por nodo | Densidad de 14 o más EDSFF E3.S, chasis EDSFF del R660 completo |
| Niveles de caché para CDN de borde e inferencia | Orientado al cómputo, ocho bahías suficientes, R660xs 8-Bay |
| Nodos de almacenamiento denso sensibles al cumplimiento (Silicon Root of Trust) | Se necesitan unidades de capacidad de 3.5", R660xs 4-Bay LFF |
Dónde mirar en cambio
- Orientado al cómputo, ocho bahías bastan: el R660xs 8-Bay, misma plataforma, más económica, menos bahías.
- Nivel de capacidad de 3.5": el R660xs 4-Bay LFF para respaldos, archivos y servidores de archivos.
- Se necesita más memoria, GPU, refrigeración líquida directa o densidad EDSFF: el R660 10-Bay completo de la misma generación.
- 2U de optimización de costos: el R760xs 8-Bay cuando un chasis de 2U y más expansión se adaptan mejor al rack.
- Generación anterior a menor costo: el R650xs 10-Bay de 15.ª generación.
- Multimarca: el equivalente de HPE en este nivel es el ProLiant DL360 Gen11. Actualmente no lo tenemos en stock; consúltenos y le asesoramos sobre el equivalente más cercano disponible.
¿Listo para configurar?
Indíquenos la generación de CPU (4.ª frente a 5.ª), la capacidad de memoria, la cantidad y el tipo de unidades (la mezcla de SAS, SATA y NVMe), si necesita las bahías traseras y puede sacrificar la ranura PCIe, la configuración de arranque, la velocidad de red y la cantidad. Si está dimensionando para vSAN ESA, incluya el tamaño del clúster, la división entre unidades de nivel de caché y de nivel de capacidad, y los planes de cantidad de nodos, ya que el dimensionamiento de ESA forma parte de la conversación de cotización.
Contáctenos o solicite una cotización para iniciar una configuración.